ME2333 Todos los transistores

 

ME2333 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME2333

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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ME2333 datasheet

 ..1. Size:1049K  matsuki electric
 me2333 me2333-g.pdf pdf_icon

ME2333

ME2333/ME2333-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 35m @VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 49m @VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 69m @VGS=-1.8V minimize on-st

Otros transistores... ME2323D , ME2323D-G , ME2325 , ME2325-G , ME2326A , ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , SI2302 , ME2333-G , ME2345A , ME2345A-G , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 .

History: AO4264E | CM100N03

 

 

 

 

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