ME2345A Todos los transistores

 

ME2345A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME2345A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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ME2345A datasheet

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ME2345A

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m @VGS=-2.5V minimize on-state res

 0.1. Size:1253K  matsuki electric
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ME2345A

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m @VGS=-2.5V minimize on-s

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