ME2345A Todos los transistores

 

ME2345A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2345A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de ME2345A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME2345A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1339K  matsuki electric
 me2345a me2345a-g.pdf pdf_icon

ME2345A

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m@VGS=-2.5Vminimize on-state res

 0.1. Size:1253K  matsuki electric
 me2345as me2345as-g.pdf pdf_icon

ME2345A

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m@VGS=-2.5V minimize on-s

Otros transistores... ME2325 , ME2325-G , ME2326A , ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , ME2333 , ME2333-G , 75N75 , ME2345A-G , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.