ME25N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME25N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 47 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.062 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME25N06
ME25N06 Datasheet (PDF)
me25n06 me25n06-g.pdf
ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)62m@VGS=10VThe ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)86m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored
me25n15al me25n15al-g.pdf
ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .