ME2602-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME2602-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME2602-G

ME2602-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1226K matsuki electric
me2602 me2602-g.pdf

ME2602/ME2602-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The ME2602 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)115m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta

9.1. Size:456K matsuki electric
me2604 me2604-g.pdf

ME2604/ME2604-GN - Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.7@VGS=10V The ME2604 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)1.9@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially t

9.2. Size:1289K matsuki electric
me2606 me2606-g.pdf

ME2606/ME2606-G N- Channel 200V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2606 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)420m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-resistan

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History: AM4953P

Liste

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