ME2604-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME2604-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 30 nC
   Tiempo de subida (tr): 4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 36 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME2604-G

ME2604-G Datasheet (PDF)

..1. Size:456K matsuki electric
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9.1. Size:1289K matsuki electric
me2606 me2606-g.pdf

ME2606/ME2606-G N- Channel 200V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2606 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)420m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-resistan

9.2. Size:1226K matsuki electric
me2602 me2602-g.pdf

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Liste

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