ME2604-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME2604-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
ME2604-G Datasheet (PDF)
me2604 me2604-g.pdf
ME2604/ME2604-GN - Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.7@VGS=10V The ME2604 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)1.9@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially t
me2606 me2606-g.pdf
ME2606/ME2606-G N- Channel 200V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2606 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)420m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-resistan
me2602 me2602-g.pdf
ME2602/ME2602-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The ME2602 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)115m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918