ME3205T-G Todos los transistores

 

ME3205T-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME3205T-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 219 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 361 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de ME3205T-G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ME3205T-G datasheet

 ..1. Size:1186K  matsuki electric
me3205t me3205t-g.pdf pdf_icon

ME3205T-G

ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

 8.1. Size:1568K  matsuki electric
me3205h-g.pdf pdf_icon

ME3205T-G

ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia

 8.2. Size:1092K  matsuki electric
me3205f me3205f-g.pdf pdf_icon

ME3205T-G

ME3205F/ME3205F-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6m @VGS=10V The ME3205F is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro

Otros transistores... ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , ME2N7002D , ME2N7002E , ME3205T , IRF1405 , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , ME4174-G , ME4411 .

History: AP8600MT | STF21NM60N | SSPS922NE | SRC60R078BT | ME4174 | KF6N70I | NCEP85T14

 

 

 

 

↑ Back to Top
.