ME3205T-G - описание и поиск аналогов

 

ME3205T-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME3205T-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 219 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для ME3205T-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3205T-G даташит

 ..1. Size:1186K  matsuki electric
 me3205t me3205t-g.pdf pdf_icon

ME3205T-G

ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

 8.1. Size:1568K  matsuki electric
 me3205h-g.pdf pdf_icon

ME3205T-G

ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia

 8.2. Size:1092K  matsuki electric
 me3205f me3205f-g.pdf pdf_icon

ME3205T-G

ME3205F/ME3205F-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6m @VGS=10V The ME3205F is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro

Другие MOSFET... ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , ME2N7002D , ME2N7002E , ME3205T , IRF1405 , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , ME4174-G , ME4411 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.