ME4435 Todos los transistores

 

ME4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 209 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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ME4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  matsuki electric
 me4435 me4435-g.pdf pdf_icon

ME4435

ME4435/ME4435-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4435 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)22m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)35m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Otros transistores... ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , ME4174-G , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , 2N7002 , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G , ME4542 , ME4542-G , ME4548 , ME4548-G , ME4565 .

History: HM4437 | AP4453M | FQB1N60TM | WMN08N80M3 | IPB60R180P7 | WML05N105C2 | SI5414DC

 

 
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