ME4435 Todos los transistores

 

ME4435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 209 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ME4435 datasheet

 ..1. Size:677K  matsuki electric
 me4435 me4435-g.pdf pdf_icon

ME4435

ME4435/ME4435-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4435 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 22m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 35m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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