ME4435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
Время нарастания (tr): 16.7 ns
Выходная емкость (Cd): 209 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
ME4435 Datasheet (PDF)
..1. Size:677K matsuki electric
me4435 me4435-g.pdf
me4435 me4435-g.pdf
ME4435/ME4435-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4435 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)22m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)35m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HM4485
