Справочник MOSFET. ME4435

 

ME4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 209 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для ME4435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  matsuki electric
 me4435 me4435-g.pdf pdf_icon

ME4435

ME4435/ME4435-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4435 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)22m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)35m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , ME4174-G , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , 2N7002 , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G , ME4542 , ME4542-G , ME4548 , ME4548-G , ME4565 .

History: NCE30H10G | XP152A12C0MR-G

 

 
Back to Top

 


 
.