ME4435 - описание и поиск аналогов

 

ME4435. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4435

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 209 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ME4435

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4435 даташит

 ..1. Size:677K  matsuki electric
 me4435 me4435-g.pdf pdf_icon

ME4435

ME4435/ME4435-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4435 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 22m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 35m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 , ME4174-G , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , MMIS60R580P , ME4435-G , ME4454 , ME4454-G , ME4542 , ME4542-G , ME4548 , ME4548-G , ME4565 .

History: 2SK1821 | STF28N65M2 | 2SJ215 | AP15P10GJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.