ME4454 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4454
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 139 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4454
ME4454 Datasheet (PDF)
me4454 me4454-g.pdf
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me4457 me4457-g.pdf
ME4457/ME4457-G P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4457 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)68m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
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