ME4454 Todos los transistores

 

ME4454 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4454
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 139 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME4454 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1242K  matsuki electric
 me4454 me4454-g.pdf pdf_icon

ME4454

ME4454/ME4454-G N-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4454 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)18m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

 9.1. Size:1234K  matsuki electric
 me4457 me4457-g.pdf pdf_icon

ME4454

ME4457/ME4457-G P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4457 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)68m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

Otros transistores... ME4174 , ME4174-G , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G , AO3407 , ME4454-G , ME4542 , ME4542-G , ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G .

History: RFM04U6P | IXTT88N15

 

 
Back to Top

 


 
.