ME4454-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4454-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 139 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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ME4454-G datasheet
me4454 me4454-g.pdf
ME4454/ME4454-G N-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4454 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 13m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 18m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O
me4457 me4457-g.pdf
ME4457/ME4457-G P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4457 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 45m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 68m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
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