ME4565A-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4565A-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0265 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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ME4565A-G datasheet
me4565a me4565a-g.pdf
ME4565A/ ME4565A-G N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 26.5m @VGS=10V (N-Ch) The ME4565A is the N and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 45m @VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 44m @VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is es
me4565ad4 me4565ad4-g.pdf
ME4565AD4/ME4565AD4-G N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 30m @VGS=10V (N-Ch) The ME4565AD4 is the N and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 58m @VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 45m @VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is
me4565.pdf
ME4565 N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4565 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 40m @VGS=10V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 45m @VGS=4.5V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON) 54m @VGS=-10V (P-Ch) tailored to
Otros transistores... ME4454 , ME4454-G , ME4542 , ME4542-G , ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , IRF840 , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G .
History: HY3208B
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