ME45N03T Todos los transistores

 

ME45N03T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME45N03T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO-220

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ME45N03T datasheet

 ..1. Size:1250K  matsuki electric
 me45n03t me45n03t-g.pdf pdf_icon

ME45N03T

ME45N03T/ME45N03T-G 30V N-Channel Enhancement Mode GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 14m @VGS=10V The ME45N03T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 21m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially

Otros transistores... ME4542-G , ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , IRF540 , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 .

History: LSN65R380HT | IRLHS6242PBF | WM03N58M2 | TK35A65W5

 

 

 

 

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