ME45N03T Todos los transistores

 

ME45N03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME45N03T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de ME45N03T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME45N03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1250K  matsuki electric
 me45n03t me45n03t-g.pdf pdf_icon

ME45N03T

ME45N03T/ME45N03T-G30V N-Channel Enhancement ModeGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)14m@VGS=10V The ME45N03T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)21m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially

Otros transistores... ME4542-G , ME4548 , ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , IRF540N , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 .

History: TT8K11 | 2SK2596 | APQ0DSN60AJ | BSO200P03S | NP82N055NHE

 

 
Back to Top

 


 
.