ME45P04 Todos los transistores

 

ME45P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME45P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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ME45P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1365K  matsuki electric
 me45p04 me45p04-g.pdf pdf_icon

ME45P04

ME45P04/ME45P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME45P04-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)18m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)25m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

 ..2. Size:884K  cn vbsemi
 me45p04.pdf pdf_icon

ME45P04

ME45P04www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Otros transistores... ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , IRF640 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 .

History: CHM8401JGP | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK

 

 
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