ME45P04 Todos los transistores

 

ME45P04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME45P04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-252

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ME45P04 datasheet

 ..1. Size:1365K  matsuki electric
me45p04 me45p04-g.pdf pdf_icon

ME45P04

ME45P04/ME45P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME45P04-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 18m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 25m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

 ..2. Size:884K  cn vbsemi
me45p04.pdf pdf_icon

ME45P04

ME45P04 www.VBsemi.tw P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.015 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Otros transistores... ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , IRFP460 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 .

 

 

 


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