Справочник MOSFET. ME45P04

 

ME45P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME45P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ME45P04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME45P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1365K  matsuki electric
 me45p04 me45p04-g.pdf pdf_icon

ME45P04

ME45P04/ME45P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME45P04-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)18m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)25m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

 ..2. Size:884K  cn vbsemi
 me45p04.pdf pdf_icon

ME45P04

ME45P04www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Другие MOSFET... ME4548-G , ME4565 , ME4565A , ME4565A-G , ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , IRF640 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 .

History: BUK9Y3R5-40E | FDD6670S | SQM200N04-1M1L | IRF122 | CPH6636R | HFS11N40

 

 
Back to Top

 


 
.