ME4954 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4954
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 89.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4954

ME4954 Datasheet (PDF)

..1. Size:1057K matsuki electric
me4954 me4954-g.pdf

ME4954/ME4954-G Dual N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4954 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)80m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)98m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

9.1. Size:373K 1
me4953.pdf

ME4953 Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)90m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

9.2. Size:1461K matsuki electric
me4953 me4953-g.pdf

ME4953/ME4953-G Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)60m@VGS=-10V The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)90m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FCPF190N60 | FCP16N60 | SML10J225

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: