STH15N50FI Todos los transistores

 

STH15N50FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH15N50FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

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STH15N50FI datasheet

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STH15N50FI

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STH15N50FI

STW15NB50 STH15NB50FI N-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW15NB50 500 V

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STH15N50FI

STH15NA50/FI STW15NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH15NA50 500 V

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STH15N50FI

STH150N10F7-2 N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 3 1 High avalanche ruggedness 2 H

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History: STH12NA60

 

 

 


 
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