STH15N50FI - описание и поиск аналогов

 

STH15N50FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH15N50FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH15N50FI

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH15N50FI даташит

 ..1. Size:336K  1
 sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf pdf_icon

STH15N50FI

 8.1. Size:206K  st
 sth15nb50fi stw15nb50.pdf pdf_icon

STH15N50FI

STW15NB50 STH15NB50FI N-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW15NB50 500 V

 8.2. Size:409K  st
 sth15na50.pdf pdf_icon

STH15N50FI

STH15NA50/FI STW15NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH15NA50 500 V

 9.1. Size:965K  st
 sth150n10f7-2.pdf pdf_icon

STH15N50FI

STH150N10F7-2 N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 3 1 High avalanche ruggedness 2 H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STH10NA50FI , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 , STH12NA60FI , STH14N50 , STH14N50FI , STH15N50 , IRFP450 , STH15NA50 , STH15NA50FI , STH26N25 , STH26N25FI , STH33N20 , STH33N20FI , STH45N10 , STH45N10FI .

History: STH12NA60

 

 

 


 
↑ Back to Top
.