ME8107 Todos los transistores

 

ME8107 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME8107
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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ME8107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  matsuki electric
 me8107 me8107-g.pdf pdf_icon

ME8107

ME8107/ME8107-G P-Channel 35V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8107-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)12m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for e

 ..2. Size:819K  cn vbsemi
 me8107.pdf pdf_icon

ME8107

ME8107www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S

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History: UPA1950 | LSB55R050GT | BSL207SP | S85N042RP | HM10P10D | FDU6688

 

 
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