ME8107 - описание и поиск аналогов

 

ME8107. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME8107

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ME8107

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8107 даташит

 ..1. Size:1191K  matsuki electric
 me8107 me8107-g.pdf pdf_icon

ME8107

ME8107/ME8107-G P-Channel 35V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8107-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7.2m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 12m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for e

 ..2. Size:819K  cn vbsemi
 me8107.pdf pdf_icon

ME8107

ME8107 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

Другие MOSFET... ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , IRF530 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , ME85P03-G , ME90N03 , ME90N03-G , ME9435 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.