ME8107 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME8107
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ME8107 Datasheet (PDF)
me8107 me8107-g.pdf

ME8107/ME8107-G P-Channel 35V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8107-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)12m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for e
me8107.pdf

ME8107www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KX6N70 | CHM1503YJGP
History: KX6N70 | CHM1503YJGP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor