ME90N03 Todos los transistores

 

ME90N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME90N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de ME90N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME90N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me90n03 me90n03-g.pdf pdf_icon

ME90N03

ME90N03/ME90N03-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.8m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protected minimize on-state resis

Otros transistores... ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , ME85P03-G , IRFZ24N , ME90N03-G , ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T .

History: UT2321

 

 
Back to Top

 


 
.