Справочник MOSFET. ME90N03

 

ME90N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME90N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 74 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 350 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для ME90N03

 

 

ME90N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me90n03 me90n03-g.pdf

ME90N03 ME90N03

ME90N03/ME90N03-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.8m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protected minimize on-state resis

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top