MESS84 Todos los transistores

 

MESS84 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MESS84

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MESS84 datasheet

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MESS84

MESS84 P-Channel MOSFET (SOT-23) PIN CONFIGURATION Top View Dec,2009-Ver1.0 01 MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 02 MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 03 MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 04 MESS84 P-Channel MOSFET SOT-23 Package Outline MILLIMETERS DIM MIN MAX A 2.70 3.1 B 1.20 1.6 C 0.9 1.3 D 0.35 0.50 G 1.70 2.10 H 0.013 0.15 J 0

Otros transistores... ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G , MEE15N10-G , MEE3710-G , MEE4294-G , 20N50 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST , JCS10N65BT , JCS10N65CT .

History: HCFL60R350 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | ME95N03-G | SWD070R08E7T | AP01L60H-HF

 

 

 

 

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