MESS84 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MESS84
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MESS84 MOSFET
MESS84 Datasheet (PDF)
mess84.pdf

MESS84 P-Channel MOSFET (SOT-23) PIN CONFIGURATION Top View Dec,2009-Ver1.0 01MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 02MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 03MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 04MESS84 P-Channel MOSFET SOT-23 Package OutlineMILLIMETERS DIM MIN MAXA 2.70 3.1B 1.20 1.6C 0.9 1.3D 0.35 0.50G 1.70 2.10H 0.013 0.15J 0
Otros transistores... ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G , MEE15N10-G , MEE3710-G , MEE4294-G , 2N60 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST , JCS10N65BT , JCS10N65CT .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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