MESS84 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MESS84
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MESS84
MESS84 Datasheet (PDF)
mess84.pdf
MESS84 P-Channel MOSFET (SOT-23) PIN CONFIGURATION Top View Dec,2009-Ver1.0 01MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 02MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 03MESS84 P-Channel MOSFET Dec,2009-Ver1.0 04MESS84 P-Channel MOSFET SOT-23 Package OutlineMILLIMETERS DIM MIN MAXA 2.70 3.1B 1.20 1.6C 0.9 1.3D 0.35 0.50G 1.70 2.10H 0.013 0.15J 0
Другие MOSFET... ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G , MEE15N10-G , MEE3710-G , MEE4294-G , 20N50 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST , JCS10N65BT , JCS10N65CT .
History: ME7114S-G
History: ME7114S-G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675


