JCS10N60CC Todos los transistores

 

JCS10N60CC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS10N60CC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 151.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C
 

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JCS10N60CC Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1369K  jilin sino
 jcs10n60f jcs10n60c.pdf pdf_icon

JCS10N60CC

R JCS10N60C JCS10N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10 A VDSS 600 V Rdson-max 0.85 Vgs=10V Qg-Typ 51.5 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES

 5.2. Size:1843K  jilin sino
 jcs10n60bt jcs10n60st jcs10n60ct jcs10n60ft.pdf pdf_icon

JCS10N60CC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N60T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson 0.75 @Vgs=10VQg 37.2 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 7.1. Size:830K  jilin sino
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JCS10N60CC

R JCS10N65FC JCS10N65FC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A 650 V VDSS 1.0 Rdson-max@Vgs=10V Qg-Typ 54 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES

 7.2. Size:1484K  jilin sino
 jcs10n65bt jcs10n65st jcs10n65ct jcs10n65ft.pdf pdf_icon

JCS10N60CC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N65T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURE

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History: FDBL9403-F085 | RD3S075CN

 

 
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