KCF9860A Todos los transistores

 

KCF9860A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KCF9860A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2399 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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KCF9860A datasheet

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KCF9860A

47A 600V KCX9860A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy effici

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History: SWD030R03VLT | RUF020N02 | SWD80N04V | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD4N50K | HM4354

 

 

 

 

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