KCM9860A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KCM9860A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2399 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
Encapsulados: TO-247
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KCM9860A datasheet
kcf9860a kcm9860a.pdf
47A 600V KCX9860A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy effici
Otros transistores... JCS10N65CT , JCS10N65FC , JCS10N65FT , JCS10N65ST , KCB3008A , KCF3650A , KCM3650A , KCF9860A , IRF830 , KCY3104S , KCY3303S , KIA10N65H , KIA10N80H-220F , KIA10N80H-3P , KIA12N60H-220 , KIA12N60H-220F , KIA12N65H .
History: AP02N40K-HF | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | JMH70R430AF | SWD070R08E7T | SWB640D
History: AP02N40K-HF | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | JMH70R430AF | SWD070R08E7T | SWB640D
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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