KCM9860A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KCM9860A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2399 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KCM9860A
KCM9860A Datasheet (PDF)
kcf9860a kcm9860a.pdf
47A600VKCX9860AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blockingcapability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed towithstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy effici
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History: CS4N65A4R
History: CS4N65A4R
Liste
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