KCM9860A Todos los transistores

 

KCM9860A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KCM9860A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2399 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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KCM9860A Datasheet (PDF)

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KCM9860A

47A600VKCX9860AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blockingcapability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed towithstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy effici

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History: WMO15N25T2 | STB14NM50N

 

 
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