KCM9860A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KCM9860A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2399 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
- Selección de transistores por parámetros
KCM9860A Datasheet (PDF)
kcf9860a kcm9860a.pdf

47A600VKCX9860AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blockingcapability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed towithstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy effici
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: AONS36316 | IRFR120TR | CSD17309Q3 | MRF5003 | 4N65KG-T60-K | RQK0608BQDQS
History: AONS36316 | IRFR120TR | CSD17309Q3 | MRF5003 | 4N65KG-T60-K | RQK0608BQDQS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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