KCM9860A Todos los transistores

 

KCM9860A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KCM9860A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2399 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de KCM9860A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KCM9860A datasheet

 ..1. Size:133K  kia
kcf9860a kcm9860a.pdf pdf_icon

KCM9860A

47A 600V KCX9860A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy effici

Otros transistores... JCS10N65CT , JCS10N65FC , JCS10N65FT , JCS10N65ST , KCB3008A , KCF3650A , KCM3650A , KCF9860A , IRF830 , KCY3104S , KCY3303S , KIA10N65H , KIA10N80H-220F , KIA10N80H-3P , KIA12N60H-220 , KIA12N60H-220F , KIA12N65H .

History: AP02N40K-HF | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | JMH70R430AF | SWD070R08E7T | SWB640D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.