KCM9860A Todos los transistores

 

KCM9860A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KCM9860A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 417 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 88 nC
   Tiempo de subida (tr): 121 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2399 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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KCM9860A Datasheet (PDF)

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kcf9860a kcm9860a.pdf

KCM9860A
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47A600VKCX9860AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blockingcapability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed towithstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy effici

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