KCY3104S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KCY3104S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KCY3104S

KCY3104S Datasheet (PDF)

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110A40VN-CHANNELMOSFETKCX3104SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =1.5m(typ.)@V =10VDS(on) GS AdvancedTrench Technology LowGate Charge High Current Capability RoHSand Halogen-Free Compliant2.Description SMPSSynchronous Rectification DC/DCConverters Or-ing3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Drain1,2,3 Source1 of 5 R

..2. Size:248K kia
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