KCY3104S Todos los transistores

 

KCY3104S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KCY3104S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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KCY3104S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  1
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KCY3104S

110A40VN-CHANNELMOSFETKCX3104SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =1.5m(typ.)@V =10VDS(on) GS AdvancedTrench Technology LowGate Charge High Current Capability RoHSand Halogen-Free Compliant2.Description SMPSSynchronous Rectification DC/DCConverters Or-ing3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Drain1,2,3 Source1 of 5 R

 ..2. Size:248K  kia
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KCY3104S

110A40VN-CHANNELMOSFETKCX3104SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =1.5m(typ.)@V =10VDS(on) GS AdvancedTrench Technology LowGate Charge High Current Capability RoHSand Halogen-Free Compliant2.Description SMPSSynchronous Rectification DC/DCConverters Or-ing3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Drain1,2,3 Source1 of 5 R

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History: 2SK3305-ZJ | P1203EVG | IRFH4253DPBF | VBZMB4N65 | 2SK1494 | G16P03

 

 
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