KCY3104S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KCY3104S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KCY3104S
KCY3104S Datasheet (PDF)
kcy3104s.pdf
110A40VN-CHANNELMOSFETKCX3104SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =1.5m(typ.)@V =10VDS(on) GS AdvancedTrench Technology LowGate Charge High Current Capability RoHSand Halogen-Free Compliant2.Description SMPSSynchronous Rectification DC/DCConverters Or-ing3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Drain1,2,3 Source1 of 5 R
kcy3104s.pdf
110A40VN-CHANNELMOSFETKCX3104SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =1.5m(typ.)@V =10VDS(on) GS AdvancedTrench Technology LowGate Charge High Current Capability RoHSand Halogen-Free Compliant2.Description SMPSSynchronous Rectification DC/DCConverters Or-ing3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Drain1,2,3 Source1 of 5 R
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Liste
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