KCY3104S Todos los transistores

 

KCY3104S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KCY3104S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

KCY3104S Datasheet (PDF)

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KCY3104S

110A40VN-CHANNELMOSFETKCX3104SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =1.5m(typ.)@V =10VDS(on) GS AdvancedTrench Technology LowGate Charge High Current Capability RoHSand Halogen-Free Compliant2.Description SMPSSynchronous Rectification DC/DCConverters Or-ing3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Drain1,2,3 Source1 of 5 R

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KCY3104S

110A40VN-CHANNELMOSFETKCX3104SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =1.5m(typ.)@V =10VDS(on) GS AdvancedTrench Technology LowGate Charge High Current Capability RoHSand Halogen-Free Compliant2.Description SMPSSynchronous Rectification DC/DCConverters Or-ing3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Drain1,2,3 Source1 of 5 R

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IMW65R027M1H

 

 
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