KCY3303S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KCY3303S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KCY3303S
KCY3303S Datasheet (PDF)
kcy3303s.pdf
95A30VN-CHANNEL MOSFETKCX3303SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =2.2mtyp.) @ V =10VDS(on) GS Advanced Trench Technology Low Gate Charge High Current Capability RoHS and Halogen-Free Compliant2.Description Power Management in Desktop Computer DC/DC Converters3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Dr
kcy3303s.pdf
95A30VN-CHANNEL MOSFETKCX3303SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =2.2mtyp.) @ V =10VDS(on) GS Advanced Trench Technology Low Gate Charge High Current Capability RoHS and Halogen-Free Compliant2.Description Power Management in Desktop Computer DC/DC Converters3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Dr
kcy3310a.pdf
100V 5mN-CHANNEL MOSFETKCX3310AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Uses advanced SGT technology Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recovery2. Features Power switching application Low On-Resistance (typ.) RDS(on)=5.0m Hard switched and
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Liste
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