STH26N25FI Todos los transistores

 

STH26N25FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH26N25FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

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STH26N25FI datasheet

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STH26N25FI

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STH26N25FI

STH260N6F6-2 N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in H PAK-2 package Datasheet production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID TAB STH260N6F6-2 60 V

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STH26N25FI

STH260N6F6-6 N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in H PAK-6 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID STH260N6F6-6 60 V 2.4 m 180 A TAB Low gate charge Very low on-resistance 7 High avalanche ruggedness 1 1 Applications H2PAK-6 Switching applications Description Figure 1. Internal sch

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STH26N25FI

STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG Automotive N-channel 60 V, 1.6 m typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D TAB TAB STH265N6F6-2AG 60 V 2.1 m 180 A STH265N6F6-6AG 60 V 2.1 m 180 A 7 2 3 1 Designed for automotive applications 1 Very low on-resistance

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