STH26N25FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH26N25FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT218
Аналог (замена) для STH26N25FI
STH26N25FI Datasheet (PDF)
sth260n6f6-2.pdf
STH260N6F6-2N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-2 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDTABSTH260N6F6-2 60 V
sth260n6f6-6.pdf
STH260N6F6-6N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-6 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTH260N6F6-6 60 V 2.4 m 180 ATAB Low gate charge Very low on-resistance7 High avalanche ruggedness11ApplicationsH2PAK-6 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sch
sth265n6f6-2ag sth265n6f6-6ag.pdf
STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG Automotive N-channel 60 V, 1.6 m typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABTABSTH265N6F6-2AG 60 V 2.1 m 180 A STH265N6F6-6AG 60 V 2.1 m 180 A 7231 Designed for automotive applications 1 Very low on-resistance
Другие MOSFET... STH12NA60FI , STH14N50 , STH14N50FI , STH15N50 , STH15N50FI , STH15NA50 , STH15NA50FI , STH26N25 , P60NF06 , STH33N20 , STH33N20FI , STH45N10 , STH45N10FI , STH4N80 , STH4N80FI , STH4N90 , STH4N90FI .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918