KIA12N65H Todos los transistores

 

KIA12N65H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA12N65H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

KIA12N65H Datasheet (PDF)

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KIA12N65H

12A650V12N65HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA12N65H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

 7.1. Size:434K  kia
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KIA12N65H

12A600V12N60HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA12N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

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History: BRCS30N02DP | OSG80R900FF | AP9563GK | HM4612 | P9515BD | IRFSL31N20DP | AOTF7N70

 

 
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