KIA2808A-263 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA2808A-263
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 995 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA2808A-263
KIA2808A-263 Datasheet (PDF)
kia2808a.pdf
150A80V2808AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =4.0mtyp.@V =10VDS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHSCompliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1
kia2806a.pdf
150A60V2806AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS01. Features R =3.5mtyp.@ V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHS Compliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems UPS3.SymbolPin Function1
kia2803a.pdf
150A30V2803AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@V =10VDS(on) GS LowOn-Resistance Fast Switching 100%AvalancheTested RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free, RoHSCompliant2. FeaturesKIA2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance.Additional
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Liste
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