KIA3308A-252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA3308A-252
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 76 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA3308A-252
KIA3308A-252 Datasheet (PDF)
kia3308a.pdf
80A80V3308AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =6.2m@V =10VDS(ON) GS Lead free and green device available LowRds-onto minimize conductive loss High avalanchecurrent2. Applications Power supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1of 7 Rev1.2.Nov. 201780A80V3308A
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History: VBQA3316
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