KIA3308A-263 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA3308A-263
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de KIA3308A-263 MOSFET
KIA3308A-263 Datasheet (PDF)
kia3308a.pdf

80A80V3308AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =6.2m@V =10VDS(ON) GS Lead free and green device available LowRds-onto minimize conductive loss High avalanchecurrent2. Applications Power supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1of 7 Rev1.2.Nov. 201780A80V3308A
Otros transistores... KIA2910N-3P , KIA2N60H-251 , KIA2N60H-252 , KIA2N60H-220 , KIA2N60H-220F , KIA30N06B , KIA3205S , KIA3308A-252 , 12N60 , KIA3308A-247 , KIA3400 , KIA3401 , KIA3402 , KIA3407 , KIA3414 , KIA3415 , KIA3510A-220 .
History: HYG210P06LQ1V | AP0603GM | G30N03D3 | HD50N06D | ME2301DC-G | AOD2544 | IPD75N04S4-06
History: HYG210P06LQ1V | AP0603GM | G30N03D3 | HD50N06D | ME2301DC-G | AOD2544 | IPD75N04S4-06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet