KIA730H-251 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KIA730H-251
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 42 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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KIA730H-251 Datasheet (PDF)

7.1. Size:321K kia
kia730h.pdf

6A400V730HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA730H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage,high speed power switching applications such as switching regulators,switchingconverters,solenoid,motor drivers,relay drivers.2. Features R =0.83 Typ@V =10 VDS(on) GSLowga

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Liste

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