KIA730H-251 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA730H-251
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для KIA730H-251
KIA730H-251 Datasheet (PDF)
kia730h.pdf

6A400V730HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA730H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage,high speed power switching applications such as switching regulators,switchingconverters,solenoid,motor drivers,relay drivers.2. Features R =0.83 Typ@V =10 VDS(on) GSLowga
Другие MOSFET... KIA65R190 , KIA65R300 , KIA65R420 , KIA65R700 , KIA65R950 , KIA6N70H-251 , KIA6N70H-252 , KIA6N70H-220F , IRFB31N20D , KIA730H-252 , KIA730H-220 , KIA730H-220F , KIA75NF75 , KIA7N60H-220 , KIA7N60H-220F , KIA7N60H-262 , KIA7N60H-263 .
History: IRLZ24NSPBF | SI2306DS | SIZ704DT
History: IRLZ24NSPBF | SI2306DS | SIZ704DT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet