KIA730H-251 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA730H-251
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для KIA730H-251
KIA730H-251 Datasheet (PDF)
kia730h.pdf

6A400V730HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA730H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage,high speed power switching applications such as switching regulators,switchingconverters,solenoid,motor drivers,relay drivers.2. Features R =0.83 Typ@V =10 VDS(on) GSLowga
Другие MOSFET... KIA65R190 , KIA65R300 , KIA65R420 , KIA65R700 , KIA65R950 , KIA6N70H-251 , KIA6N70H-252 , KIA6N70H-220F , IRFB31N20D , KIA730H-252 , KIA730H-220 , KIA730H-220F , KIA75NF75 , KIA7N60H-220 , KIA7N60H-220F , KIA7N60H-262 , KIA7N60H-263 .
History: CSD87384M | IPI120N06S4-H1 | BL13N50-P | NCEP028N60AGU | IRFL1006PBF | IRFH5004 | SSF1020
History: CSD87384M | IPI120N06S4-H1 | BL13N50-P | NCEP028N60AGU | IRFL1006PBF | IRFH5004 | SSF1020



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet