KIA730H-220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA730H-220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220

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KIA730H-220 datasheet

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KIA730H-220

6A 400V 730H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA730H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage,high speed power switching applications such as switching regulators,switching converters,solenoid,motor drivers,relay drivers. 2. Features R =0.83 Typ @V =10 V DS(on) GS Lowga

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