KIA7N80H-220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA7N80H-220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO220

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KIA7N80H-220 datasheet

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KIA7N80H-220

7A 800V 7N80H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description This Power MOSFETis produced using SLsemi s advanced planar stripeDMOStechnology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance,and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.Thes

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KIA7N80H-220

7A 600V 7N60U N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description This Power MOSFETis produced using KIAsemi s advancedplanar stripeDMOStechnology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Th

 9.2. Size:270K  kia
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KIA7N80H-220

7.0A,600V N-CHANNELMOSFET 7N60H KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description This Power MOSFET is produced using KIA s advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Th

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