KIA840S-263 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA840S-263
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 24 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA840S-263
KIA840S-263 Datasheet (PDF)
kia840s.pdf
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8A500V840SN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =0.7 (typ) @V =10VDS(ON) GS RoHS compliant Low on resistance Low gate charge Peak current vs pulse width curve2. Applications Adaptor TVmain power SMPSpower supply LCDpanel power3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 6 Rev 1.2 JAN2016
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