Справочник MOSFET. KIA840S-263

 

KIA840S-263 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA840S-263
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA840S-263 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:210K  kia
kia840s.pdfpdf_icon

KIA840S-263

8A500V840SN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =0.7 (typ) @V =10VDS(ON) GS RoHS compliant Low on resistance Low gate charge Peak current vs pulse width curve2. Applications Adaptor TVmain power SMPSpower supply LCDpanel power3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 6 Rev 1.2 JAN2016

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RJK005N03 | NCEP026N10F | SM9A01NSF | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.