KNB2906A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNB2906A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 926 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO263

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KNB2906A datasheet

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KNB2906A

130A 60V KNX2906A N-CHANNEL MOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =5.5m (typ.)@ V =10V DS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current 2. Applications Power Supply UPS Power Tool 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 1 of 6 Rev 1.2

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KNB2906A

130A 100V KNX2910A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching 2. Features R =5.0m @V =10 V DS(on) GS Super high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant) 3. Pinconfiguratio

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KNB2906A

130A 150V N-CHANNEL MOSFET KNX2915A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features RDS(ON)= 10m ( typ.)@ VGS=10V Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Extremely low on-resistance RDS(on) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Qualified according to JEDEC criteria 2. Application Motor control and drive Battery management UPS

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