KND2804A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND2804A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 164 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO252

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KND2804A datasheet

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KND2804A

150A 40V KNX2804A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =3.0m (typ.)@V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gat

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KND2804A

150A 30V KNX2803A N-CHANNEL MOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =2.2m typ. @ V =10V DS(on) GS Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant 2. Features KNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely l

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KND2804A

150A 30V KNX2803A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =2.2m typ. @V =10V DS(on) GS LowOn-Resistance Fast Switching 100%AvalancheTested RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free, RoHSCompliant 2. Features KNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. Addition

Otros transistores... KNB2915A, KNB3204A, KNB3206A, KNB3208A, KNB3306B, KNB3308B, KNB3508A, KND2803A, IRF540N, KND2906A, KND3203B, KND3204A, KND3206A, KND3208A, KND3302A, KND3306B, KND3403A