KND3502A Todos los transistores

 

KND3502A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KND3502A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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KND3502A Datasheet (PDF)

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KND3502A

70A20VKNX3502AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KNX3502A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operationwithgatevoltages as lowas 2.5V. This deviceis suitablefor useas awidevariety of applications.2. Features R =7m(typ.) @V =4.5VDS(on) DS High power and current hand

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 knb3508a knd3508a knp3508a.pdf pdf_icon

KND3502A

70A80V3508AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =9.5mtyp.@V =10VDS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHSCompliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1o

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History: IRFR210

 

 
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