KND3502A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND3502A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de KND3502A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KND3502A datasheet

 ..1. Size:218K  kia
 knd3502a.pdf pdf_icon

KND3502A

70A 20V KNX3502A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KNX3502A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operationwithgatevoltages as lowas 2.5V. This deviceis suitablefor useas awidevariety of applications. 2. Features R =7m (typ.) @V =4.5V DS(on) DS High power and current hand

 8.1. Size:218K  kia
 knb3508a knd3508a knp3508a.pdf pdf_icon

KND3502A

70A 80V 3508A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =9.5m typ. @V =10V DS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device available RoHSCompliant 2. Applications Switching application Power management for inverter systems 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1o

Otros transistores... KND3206A, KND3208A, KND3302A, KND3306B, KND3403A, KND3404B, KND3404C, KND3406C, IRFB4227, KND3508A, KND3706A, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A