KNF4660A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KNF4660A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNF4660A

KNF4660A Datasheet (PDF)

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knf4660a.pdf

7A600VN-CHANNELMOSFETKNX4660AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionTheKNX4660A-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage,high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, activepower factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.2. Featu

8.1. Size:277K kia
knd4665b knf4665b.pdf

7A650VN-CHANNELMOSFETKNX4665BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionTheKNX4665B-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage,high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, activepower factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology2. Featur

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knf4665a knp4665a.pdf

7.5A650VN-CHANNELMOSFET4665AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. General DescriptionThis Power MOSFETis producedusing KIAs advanced planar stripeDMOStechnology. This advancedtechnology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutationmod

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Liste

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