KNG3703A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNG3703A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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KNG3703A datasheet

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KNG3703A

50A, 30V N-CHANNELMOSFET KNX3703A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R (typ.)=7.5m ,VGS=10V DS(on) Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications High Frequency Point-of-LoadSynchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA NetworkingDC-DCP

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KNG3703A

50A, 30V N-CHANNELMOSFET KNX3703A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R (typ.)=7.5m ,VGS=10V DS(on) Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications High Frequency Point-of-LoadSynchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA NetworkingDC-DCP

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