KNG3703A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KNG3703A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для KNG3703A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNG3703A даташит

 ..1. Size:242K  1
 kng3703a.pdf pdf_icon

KNG3703A

50A, 30V N-CHANNELMOSFET KNX3703A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R (typ.)=7.5m ,VGS=10V DS(on) Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications High Frequency Point-of-LoadSynchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA NetworkingDC-DCP

 ..2. Size:242K  kia
 kng3703a kny3703a.pdf pdf_icon

KNG3703A

50A, 30V N-CHANNELMOSFET KNX3703A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R (typ.)=7.5m ,VGS=10V DS(on) Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications High Frequency Point-of-LoadSynchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA NetworkingDC-DCP

Другие IGBT... KNF6165A, KNF6165B, KNF6180A, KNF6450A, KNF6650A, KNF7150A, KNF7650A, KNG3303A, 5N65, JCS10N70CH, JCS10N70FH, JCS10N80F, JCS110N07, JCS12N60BT, JCS12N60ST, JCS12N65BT, JCS12N65F