JCS10N70CH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS10N70CH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 97.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO-220C

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JCS10N70CH datasheet

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JCS10N70CH

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JCS10N70CH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10A VDSS 700 V Rdson-max 1.10 @Vgs=10V Qg-typ 33.6nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts UPS UPS FEATURE

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JCS10N70CH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

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JCS10N70CH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

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