JCS10N70CH datasheet, аналоги, параметры транзистора

JCS10N70CH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS10N70CH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 97.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для JCS10N70CH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JCS10N70CH даташит

..1. Size:2289K jilin sino
jcs10n70ch jcs10n70fh.pdf pdf_icon

5.1. Size:2011K jilin sino
jcs10n70c jcs10n70b jcs10n70s jcs10n70f.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10A VDSS 700 V Rdson-max 1.10 @Vgs=10V Qg-typ 33.6nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts UPS UPS FEATURE

8.1. Size:953K jilin sino
jcs10n80fc jcs10n80gdc.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

8.2. Size:1202K jilin sino
jcs10n80f.pdf pdf_icon